PN8034傳導(dǎo)相比PN8024R改善2dB；EMI裕量更足，可以直接兼容PN8024，相比PN8024外圍可以省一顆COMP電容，被廣泛應(yīng)用于非隔離輔助電源。

PN8034是PN8024的升級版，都具有完整的智能化保護(hù)功能，包括過流保護(hù)，欠壓保護(hù)，過溫保護(hù)等，內(nèi)置高壓啟動模塊，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機(jī)功能，在不修改PCB改外圍的情況下是可以直接兼容替代的，所以pn8024是可以用pn8034代換的。

PN8034芯片特征：
內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內(nèi)置高壓啟動電路
優(yōu)化適用于12V輸出非隔離應(yīng)用
DIP-7封裝半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率3.6W @230VAC

SOP-7封裝半封閉式穩(wěn)態(tài)輸出功率3.0W @230VAC
改善EMI的降頻調(diào)制技術(shù)
優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率和工作效率
全面的保護(hù)功能：過流保護(hù)（OCP）、過溫保護(hù)（OTP）、欠壓保護(hù)（UVLO）。

PN8034相比PN8024性能優(yōu)勢：
PN8034 ESD(HBM)能力提升至8KV；
省COMP電容，外圍電路超精簡；
動態(tài)響應(yīng)提升4倍，在5mA-300mA-5mA切換遭遇功率尖峰時(shí)輸出更穩(wěn)定；
空載啟動尖峰為0.1V，有效避免啟動輸出過沖損壞次級元器件。

PN8024和pn8034都集成了PFM控制器及智能功率MOSFET， VCC耐壓一樣的都是40V，PN8034芯片相比PN8024可靠性有所提升，進(jìn)一步降低芯片失效率，同時(shí)良好的特性也將提升整機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，降低整機(jī)失效率。在同一套整機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用中，PN8034 傳導(dǎo)相比PN8024R 改善2dB；EMI裕量更足，可以直接兼容PN8024，相比PN8024外圍可以省一顆COMP電容，被廣泛應(yīng)用于非隔離輔助電源。